'하이 NA 극자외선(EUV) 노광 장비- D램 생산 공정에 투입되면서 2㎚(1㎚=10억분의 1m) 이하 초미세 회로 > WEB 중요웹사이트연결

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SK하이닉스가 지난 3일 메모리 업체 중 처음으로 '하이 NA 극자외선(EUV) 노광 장비'를 들여왔다. 지금까지는 위탁생산(파운드리) 중심의 로직 반도체에만 쓰였는데, 이번에 처음으로 D램 생산 공정에 투입되면서 2㎚(1㎚=10억분의 1m) 이하 초미세 회로 경쟁이 본격화됐다.
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DRAM 생산 공정은 크게 웨이퍼 제조, 산화, 포토(노광), 식각, 세정/연마, 증착, 이온주입, 금속배선 공정 등을 거쳐 진행됩니다. 각 단계는 웨이퍼에 복잡한 회로 패턴을 새기고, 층을 쌓으며, 불필요한 부분을 제거하는 정밀한 과정을 반복하여 미세한 전자 부품을 만드는 것입니다. 최종적으로는 EDS 테스트를 통해 성능을 확인하고, 외부 환경으로부터 보호하기 위한 패키징 공정으로 마무리됩니다

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NAND flash is a common type of non-volatile memory (NVM). Unlike a volatile memory type, such as DRAM, NAND flash retains data when power is removed and so has many applications.

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NAND flash memory is a type of non-volatile storage technology that stores data in blocks of cells using floating-gate transistors. It is characterized by its high density and fast write and read speeds, making it ideal for mass storage, such as in solid-state drives (SSDs), memory cards, and USB drives. Data is stored in a serial, grid-like structure, and unlike NOR flash, data must be erased in entire blocks before new data can be written. Different types of NAND, such as SLC, MLC, TLC, and QLC, exist to store more data bits per cell, offering varying levels of performance and
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NAND와 DRAM의 차이점은 무엇인가요?
반도체 특강] 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이 – SK ...
낸드플래시는 디램에 비해 플로팅 게이트(Floating Gate)의 기여로 집적도를 크게 올릴 수 있지만, 동시에 플로팅 게이트의 영향으로 동작 속도는 떨어집니다. 반면, 디램은 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어 집적도는 떨어지지만 스위칭 속도는 매우 빠릅니다.May 15, 2019

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하이 NA EUV 'EXE:5200B' 장비. ASML.


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반도체 칩에는 수십억 개의 트랜지스터가 들어간다. 성능을 높이려면 이 트랜지스터를 더 작고 촘촘하게 새겨야 한다. EUV 장비는 웨이퍼 위에 미세 회로를 인쇄하는 최신 기술로, 네덜란드 ASML이 전 세계에 독점 공급한다. 최근 인공지능(AI) 확산으로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 커지면서, EUV 장비는 고성능 D램 개발에 꼭 필요한 설비로 꼽히고 있다.


반도체 집적회로(IC)가 태동하던 1960년대 초반, 노광 장비는 마스크를 웨이퍼에 직접 밀착시켜 빛을 쬐는 '컨택트 리소그래피' 방식에서 출발했다. 이후 마스크 손상과 해상도 한계를 줄이기 위해 마스크와 웨이퍼를 떨어뜨려 노광하는 '프로시미티(근접) 방식', 축소 투영해 반복적으로 찍는 '스텝 앤드 리피트' 방식이 도입되면서 산업 표준이 확립됐다.


1980~90년대 들어서는 KrF(248㎚), ArF(193㎚) 레이저를 활용한 DUV(심자외선) 장비가 본격 상용화되며 미세화 경쟁이 가속화했다. 2000년대 초반에는 물을 매개로 빛을 굴절시키는 '이머전스 기술'이 더해져 45㎚ 이하 공정이 가능해졌다. 이후 더 짧은 파장이 필요해지면서 2010년대에는 EUV(13.5㎚) 장비가 상용화돼 5㎚ 이하 공정의 핵심 기술로 자리 잡았다.



 | 출처 : 아시아경제 | https://www.asiae.co.kr/article/2025090510130245507





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